5月30日消息，辟蹊大家都知道，徑不機也當下先進工藝（尤其是光刻7nm以下），基本都依賴ASML的辟蹊EUV極紫外光刻機。

按照傳統(tǒng)認知，徑不機也沒有EUV就造不出先進工藝，光刻那有沒有其他辦法呢。辟蹊

前段時間，徑不機也世界上就有一種“特殊”5nm的光刻消息傳出，它是辟蹊怎么來的呢？

有報道稱，這種5nm采用了完全不一樣的徑不機也技術(shù)路線，避開了EUV光刻機的光刻依賴，采用一種步進掃描光刻機，辟蹊通過多重曝光實現(xiàn)5nm線寬。徑不機也

光刻機是光刻整個芯片制造過程中最為核心的設(shè)備，主要功能是將掩模上的電路圖案通過光學系統(tǒng)投射到涂有光刻膠的硅片上，在光刻膠上形成精細的圖案，就像 “畫工” 在硅片上繪制電路圖，芯片的制程由光刻機決定。

另外，刻蝕機采用某5nm刻蝕設(shè)備，精度達到原子級，號稱刻蝕速率比以往水平提升15%。

在光刻完成后登場，刻蝕機的主要作用是按照光刻機標注好的圖案，通過化學或物理作用，將硅片上多余的部分，如未被光刻膠保護的材料腐蝕掉，留下需要的部分，以形成半導體器件和連接的圖案，類似于 “雕工”。

不僅如此，量測設(shè)備也采用了新的電子束量測系統(tǒng)，實現(xiàn)nm級缺陷檢測的替代。

也就是說，這種“另辟蹊徑”的方法，帶動了半導體設(shè)備、材料、設(shè)計工具等全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。

說不定，未來這種辦法，也能造出3nm，大家不妨拭目以待。

本文來源：http://www.cx2088.cn/news/08d8099911.html

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