6月12日消息，臺(tái)積據(jù)媒體報(bào)道，電準(zhǔn)代C達(dá)臺(tái)積電正積極籌備新一代 CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate） 封裝技術(shù)，備新該技術(shù)能將封裝基板尺寸顯著擴(kuò)展至310 x 310mm甚至更大。封裝

CoPoS的技術(shù)核心創(chuàng)新在于將中介層“面板化”，這是最快對(duì)現(xiàn)有CoWoS-L和CoWoS-R（基于方形基板）的進(jìn)一步演進(jìn)。其本質(zhì)是年末用大型矩形面板基板替代了傳統(tǒng)的圓形晶圓作為載體。

根據(jù)規(guī)劃，量產(chǎn)臺(tái)積電將于2026年建立CoPoS試點(diǎn)生產(chǎn)線，英偉2027年重點(diǎn)進(jìn)行工藝優(yōu)化以滿足合作伙伴需求，望首目標(biāo)在2028年底至2029年初實(shí)現(xiàn)CoPoS量產(chǎn)。個(gè)客

與FOPLP（扇出型面板級(jí)封裝）一樣，臺(tái)積CoPoS（基板上面板芯片封裝）也采用大型面板基板進(jìn)行封裝，電準(zhǔn)代C達(dá)不過(guò)兩者存在一些差異。備新FOPLP是封裝一種不需要中介層的封裝方法，芯片直接重新分布在面板基板上，并通過(guò)重分布層（RDL）互連。

這種方法具有成本低、I/O密度高、外形尺寸靈活等優(yōu)勢(shì)，適用于邊緣AI、移動(dòng)設(shè)備和集成密度適中的中端ASIC等應(yīng)用。

CoPoS則引入了中介層，從而有著更高的信號(hào)完整性和穩(wěn)定的功率傳輸，對(duì)于集成GPU和HBM芯片的高端產(chǎn)品來(lái)說(shuō)效果更好。同時(shí)中介層材料正從傳統(tǒng)的硅變?yōu)椴ＡВ瑢⑻峁└叩某杀拘б婧蜔岱€(wěn)定性。預(yù)計(jì)未來(lái)CoPoS將取代CoWoS-L，而英偉達(dá)很可能會(huì)是首個(gè)合作伙伴。

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